标题：Wolfspeed品牌CAB006A12GM3参数SIC 2N-CH 1200V 200A技术与应用介绍 Wolfspeed是一家全球知名的功率半导体公司，其CAB006A12GM3是一款具有极高应用价值的功率模块，其技术参数SIC 2N-CH 1200V 200A使其在各种高电压、大电流的场合具有出色的表现。 首先，我们来了解一下SIC 2N-CH 1200V 200A这个参数的含义。SIC是Wolfspeed公司的一种硅基材料芯片，具有高耐压、大电流的特点，适用于高压大功率的场合。而
QORVO威讯联合半导体QPA4346D放大器：国防和航天网络基础设施的强大助力 随着科技的不断进步，网络基础设施在国防和航天领域的重要性日益凸显。在这个领域，QORVO威讯联合半导体推出的QPA4346D放大器，以其卓越的技术特性和方案应用，成为了行业内的明星产品。 QPA4346D放大器是一款高性能、低噪声的放大器，专为网络基础设施中的高动态范围应用而设计。它具有出色的噪声性能和宽广的工作电压范围，为各种环境条件下的稳定工作提供了保障。此外，该放大器还具备优良的线性度和极低的相位失真特性，
STC宏晶半导体STC12C5620AD-35I的技术和方案应用介绍
2024-07-25标题：STC宏晶半导体STC12C5620AD-35I技术与应用方案介绍 STC宏晶半导体STC12C5620AD-35I是一款高性能的微控制器芯片，以其强大的性能和低功耗特性，广泛应用于各种嵌入式系统。本文将详细介绍STC12C5620AD-35I的技术特点和方案应用。 一、技术特点 STC12C5620AD-35I采用了高速的8051内核，主频高达35MHz，具有极高的数据处理能力和响应速度。此外，它还具备丰富的外设接口，如ADC、DAC、UART、SPI、I2C等，方便用户进行各种功能扩
标题：APA300-PQG208微芯半导体IC FPGA技术应用介绍 随着科技的飞速发展，微芯片技术已经成为现代社会的重要组成部分。APA300-PQG208微芯半导体IC就是其中一种具有广泛应用前景的芯片。本文将详细介绍APA300-PQG208微芯半导体IC的特点，以及基于FPGA和158 I/O的方案应用。 首先，APA300-PQG208微芯半导体IC是一种高性能的数字信号处理器，它采用了先进的32位ARM Cortex-M内核技术，具有强大的数据处理能力和卓越的实时性能。该芯片在工业
南通越亚半导体项目最新进展：11月将进行试生产
2024-07-25据南通日报音讯，南通越亚半导体项目一期厂房已封顶，11月将停止试消费，该项目在全球首创铜柱法消费高密度无芯封装基板，具有中心学问产权。 据悉，南通越亚半导体项目位于南通科学工业园区，于2018年5月9日正式签约，该项目由珠海越亚半导体股份有限公司投资兴建，项目总投资约37.7亿元，建成后可到达年产350万片半导体模组、半导体器件、封装基板。 该项目占空中积约141亩，总投资约37.7亿元，总建筑面积约17万平方米，项目将新增国际抢先的真空喷溅线、等离子蚀刻等设备约1200台/套。2018年8月
总投资15亿元，氮化镓半导体材料项目落户辽宁盘锦
2024-07-25近日，辽宁百思特达半导体科技有限公司投资的氮化镓项目落户盘锦高新区。 该项目方案占地440亩，总投资15亿元，以氮化镓半导体资料为主，相关配套辅助产业为辅，并在盘锦树立新资料闭环产业园。项目方案于11月前开工建立，2021年6月前完工投产。投产后两年内销售产值每年不少于4亿元，年上缴税金不少于2000万元。 近年来，兴隆台区不断注重于新兴产业的开展，在国内外寻求引进电子信息等企业进入兴隆台区，从而构成以中蓝电子为领军的新兴产业集群。辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化镓项目的落户、盘锦新资料闭环
控制半导体制程上污染，英特格确定与三大半导体厂合作
2024-07-25在当前包含物联网、工业自动化、人工智能、自动驾驶、5G通讯等新科技逐步提高的状况下，带动了半导体的生长，并使得芯片需求大幅提升。而为了迎接这些应战，导入新的资料增加效能，在持续摩尔定律过程中，资料技术不时演进，且应用的资料实质也开端改动。而特用化学原料暨先进科技资料龙头供给商英特格（Entegris Inc.）即透过运用科学为根底，以提供处理计划，并辅佐半导体客户在先进制程上应对各种应战。 英特格技术长James ONeill指出，英特格成立迄今曾经有50年历史，去年整体营收达16亿美圆。而在
上海贝岭收购华大半导体控股公司
2024-07-25今年，全球半导体产业并购仍在活泼停止中。日前，上海贝岭发布公告，宣布拟收买南京微盟电子有限公司（以下简称南京微盟）股东持有的100%股权。 依据公告，上海贝岭拟以现金支付方式收买南京微盟股东持有的100%股权。公司拜托资产评价公司对南京微盟截至2019年6月30日的全部股东权益价值停止了评价，资产评价报告显现，南京微盟估值为3.6亿元，较账面净资产1.03亿元溢价249.51%。 经协商，本次南京微盟100%股权作价初步肯定为3.6亿元（且不低于后续经国资监管部门备案的评价结果）。 与标的属同
半导体技术工程师前景怎么样！
2024-07-25半导体技术工程师职业介绍 一、入行必备条件 学历要求：一般来说，本科及以上学历，电子、微电子、材料物理、材料化学等相关专业毕业的学生更适合从事半导体技术工程师职业。 专业背景：熟悉半导体物理、电路、微电子器件等基础知识，掌握半导体制造工艺、半导体设备、检测技术等相关知识。 实践经验：具有一定的实验设计、工艺操作、设备调试等实践经验，能独立完成半导体产品的研发和调试。 技能证书：通过相关的职业资格证书考试，如半导体器件工程师、集成电路布图设计师等，可以更好地提升自己在行业内的竞争力。 二、发展前
半导体器件击穿分析及设计注意事项
2024-07-25半导体器件的击穿机理主要有两种：ESD电击穿和热击穿。电击穿是指强电场导致器件的击穿，这个过程通常是可逆的，当电压消失，器件电学特性会恢复。热击穿（二次击穿）则与电流有关，当正向导通时，电流超过一定限值（图示绿色区域之外），器件会发生热烧毁。 在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，漏源击穿电压BVDS的产生机理有两种：一是漏PN结的雪崩击穿，二是漏源两区的穿通。雪崩击穿是在加反向电压时，随着反向电压增加，PN结耗尽区反向电场增加，当电子（或者空穴）与晶格发生碰撞时传递给晶格的能量高