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Infineon英飞凌FZ1800R17HP4B9HOSA2模块IGBT MODULE 1700V 1800A参数详解及方案应用 一、模块概述 Infineon英飞凌FZ1800R17HP4B9HOSA2是一款高性能的IGBT MODULE,其电压和电流规格分别为1700V和1800A。这款模块在工业应用中具有广泛的应用前景,特别是在需要大电流和高电压的场合。 二、参数详解 1. 电压:该模块的额定电压为1700V,意味着它可以承受高达1700V的电压,适用于各种高压电路。 2. 电流:模块的
标题:Infineon(IR) SGB15N60功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的SGB15N60功率半导体IGBT是一款具有极高性价比的N-Channel MOSFET功率半导体。这款产品以其高额定电流,高达31A,工作电压为600V的特点,为各类应用提供了强大的支持。 首先,SGB15N60的特性使其在许多工业应用中具有广泛的应用前景。例如,它可以在交流电机控制、变频器、UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等设备中发挥重要作用。此外,由于其高开关速度和低导通损耗,它
标题:Infineon CY7C4255V-15ASXI芯片IC技术与应用介绍 Infineon公司出品的CY7C4255V-15ASXI芯片IC,是一款具有独特特性的高速同步FIFO技术芯片,其应用领域广泛,包括通信、汽车电子、工业控制等领域。 该芯片IC采用先进的技术,具有高速度、低延迟、大容量等特点,支持8KX18的存储空间,数据传输速率高达10纳秒,具有64个TQFP封装的芯片IC,适用于各种高速数据传输应用场景。 该芯片IC的主要技术特点包括FIFO设计、同步读写、高速数据传输等,这